euv和duv區別

品牌型號：iPhone 14
系統：iOS 16.1.2

euv和duv區別：

1、製程範圍不同。duv：基本上只能做到25nm，Intel憑藉雙工作臺的模式做到了10nm，卻無法達到10nm以下。euv：能滿足10nm以下的晶圓製造，並且還可以向5nm、3nm繼續延伸。

2、發光原理不同。duv：光源爲準分子激光，光源的波長能達到193納米。euv：激光激發等離子來發射EUV光子，光源的波長則爲13.5納米。

3、光路系統不同。duv：主要利用光的折射原理。其中，浸沒式光刻機會在投影透鏡與晶圓之間，填入去離子水，使得193nm的光波等效至134nm。euv：利用的光的反射原理，內部必須爲真空操作。

極紫外光刻（ExtremeUltra-violet），常稱作EUV光刻，它以波長爲10-14納米的極紫外光作爲光源的光刻技術。具體爲採用波長爲13.4nm的紫外線。極紫外線就是指需要通過通電激發紫外線管的K極然後放射出紫外線。